根據(jù)報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器(HBM)的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合(TCB)和批量回流焊(MR)工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合(Hybrid Bonding)的封裝工藝，突破 TCB 和 MR 的發(fā)熱、封裝高度等限制。

　　Hybrid Bonding 中的 Hybrid 是指除了在室溫下凹陷下去的銅 bump 完成鍵合，兩個 Chip 面對面的其它非導(dǎo)電部分也要貼合。因此，Hybrid Bonding 在芯粒與芯粒或者 wafer 與 wafer 之間是沒有空隙的，不需要用環(huán)氧樹脂進行填充。

　　援引媒體報道，三星電子和 SK 海力士等主要公司已經(jīng)克服這些挑戰(zhàn)，擴展了 TCB 和 MR 工藝，實現(xiàn)最高 12 層。

　　報道稱采用 Hybrid Bonding 工藝之后，顯著提高了輸入 / 輸出(IO)吞吐量，允許在 1 平方毫米的面積內(nèi)連接 1 萬到 10 萬個通孔(via)。