據(jù)報道，日本早稻田大學(xué)乘松航教授等人的研究團(tuán)隊，開發(fā)出了一種通過加熱使半導(dǎo)體晶圓基板表面平整的方法，比傳統(tǒng)研磨方法更便捷、性能更高，有利于改進(jìn)半導(dǎo)體制造工序。

　　研究團(tuán)隊利用碳化硅晶圓基板進(jìn)行實驗，由于晶圓是通過將整體晶塊切成薄片來制造的，因此截面上容易凹凸不平，不能直接使用。傳統(tǒng)的方法是結(jié)合多種方式進(jìn)行拋光研磨，但這會導(dǎo)致內(nèi)部容易出現(xiàn)損傷、表面形成落差。

　　團(tuán)隊將經(jīng)過機(jī)械研磨后的碳化硅基板在氬氣和氫氣保護(hù)下，加熱10分鐘，達(dá)到1600攝氏度，然后在1400攝氏度下保持一段時間。這時，表面達(dá)到了原子層面的平整。由于這種操作方式簡單，只需加熱即可，因此相比傳統(tǒng)的多次拋光有利于縮短制造工時，并降低成本。

　　除了加工功率半導(dǎo)體材料碳化硅，這項技術(shù)還可以用于加工晶格構(gòu)造相似的其它材料，如氮化鎵、砷化鎵晶圓。